在电力电子课程设计中，我负责SiC MOSFET驱动电路方案设计与参数优化，目标是降低开关损耗并抑制栅极振荡。使用LTspice仿真对比不同栅极电阻与驱动电压下的开关波形，并搭建双脉冲测试平台验证。与组员协作完成PCB布局、焊接与调试。在25℃、400V/20A测试条件下，优化后开关损耗降低约18%，电压过冲减少15%，验证了驱动参数对动态性能的改善作用。

为探究功率模块焊料层热应力，我使用COMSOL建立IGBT模块简化模型，模拟功率循环下的温度与应力分布，并通过参数扫描分析焊料层厚度影响。在100W功耗、25℃环境条件下，发现焊料层厚度从100μm减至50μm时，最大应力下降约22%，为封装结构优化提供参考。我还对比了不同基板材料的应力表现，验证了仿真模型的合理性。