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HI简历
18800000000hi@hicv.cn
2026届电子信息工程方向求职者上海市半导体工程师
个人总结
目标岗位为半导体工程师，主攻数字集成电路设计与验证方向。熟练掌握Verilog、Vivado、Cadence等工具，具备从RTL到GDS的完整设计流程经验。在校期间参与基于28nm工艺的MCU项目，独立完成时序分析与功耗优化，成功通过LVS/DRC验证并流片。对半导体器件物理有扎实基础，能结合工艺参数进行设计优化。善于团队协作与项目汇报，具备快速学习与问题解决能力。
教育经历
示例理工大学
2022年09月-2026年06月
电子信息工程 本科 本科
主修半导体物理、集成电路设计、数字信号处理、微电子工艺等核心课程。课程项目中，独立完成基于Verilog的FIR滤波器设计与仿真，以及使用Cadence设计两级CMOS运算放大器，包括原理图、版图与后仿真验证，均获优秀评价。
工作经历
华芯科技
2025年03月-2025年06月
半导体工艺工程师实习生 工艺整合部
在28nm CMOS工艺整合项目中，负责监控关键工艺参数（栅氧化层厚度、掺杂浓度）并分析良率波动原因。运用JMP进行SPC分析，结合SEM和椭圆偏振光谱仪表征物性，Python脚本实现数据自动化处理。与光刻、刻蚀工程师合作参与周良率会议。发现栅氧化层均匀性偏差导致良率下降1.2%，提出优化氧化温度曲线，使良率回升0.8%，撰写技术报告获部门采纳。
项目经历
功率MOSFET电热特性仿真与分析
2024年09月-2025年01月
项目负责人
研究车规级功率MOSFET的电热耦合效应，建立二维器件结构，模拟不同栅压与负载下的电流密度和温度分布。采用Silvaco TCAD进行工艺和器件仿真，结合MATLAB处理大量数据，分析自热效应与雪崩击穿的关系。与实验室研究生深入讨论边界条件设定，参考多篇IEEE论文优化网格划分和物理模型参数。仿真结果表明，当击穿电压为188V时，器件结温高达150°C，影响可靠性。
化学机械抛光（CMP）速率预测模型开发
2023年10月-2024年05月
算法设计
针对CMP抛光速率受抛光压力、转速、浆料流量等多因素影响、传统经验模型预测精度低的问题，收集机台历史数据并构建随机森林回归模型。使用Python的scikit-learn库进行特征工程，包括特征选择、归一化和交叉验证，并与工艺工程师多次讨论标注规范，确保数据质量。模型预测误差从原来的±15%降低至±8%，可用于在线实时调整工艺参数，有效减少晶圆报废率约5%。
社团和组织经历
学生发展中心
2023年09月-2024年06月
项目与活动负责人 学生组织
担任学院科技部部长，组织半导体知识竞赛和工艺设计工作坊，协调近50人团队完成活动筹备与执行，提升跨部门沟通能力。同时作为FPGA兴趣小组负责人，带领团队完成基于FPGA的信号发生器设计，锻炼项目规划与进度管理能力。
荣誉奖项
全国大学生电子设计竞赛省一等奖（2024）
校级优秀学生奖学金（2022-2023学年）
半导体器件仿真分析竞赛二等奖
其他
- 技能: 精通Verilog HDL、Vivado开发环境，熟悉数字IC设计全流程（RTL综合、仿真验证、时序分析），具备28nm工艺下MCU流片经验。; 掌握Cadence Virtuoso全定制版图设计，熟练使用Calibre进行DRC/LVS验证，理解器件物理与工艺整合原理。; 熟悉半导体工艺参数监控与良率分析，能运用JMP进行SPC及DOE，Python脚本实现数据自动化处理。
- 证书: CET-6（569分）
- 语言: 英语六级（CET-6 530），具备科技英语读写能力，能独立阅读半导体领域英文文献并撰写技术报告。
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