在《半导体材料与器件》课程中，围绕红外探测材料开展文献调研与性能对比。负责整理InSb、HgCdTe等材料的禁带宽度与响应波段数据，使用Excel建立对比表，并与组员讨论材料选择依据。项目为课程作业，样本为文献数据，非实测器件。最终完成12页报告与课堂汇报，获课程评分良好。过程中还对比了不同材料在短波、中波与长波红外波段的适用性，结合器件暗电流与工作温度要求分析选型思路，加深了对红外光电探测原理的理解。

个人实验项目，在实验室使用磁控溅射制备化合物半导体薄膜样品，探究溅射功率对膜厚与表面形貌的影响。采用台阶仪与光学显微镜表征，记录5组不同功率下的膜厚数据并用Origin作图分析。实验样本为实验室小批量样品，结果显示膜厚随功率上升呈近似线性趋势。整理实验记录并撰写实验小结，加深了对薄膜工艺参数与表征方法的理解。实验中还观察了功率变化对表面粗糙度的影响，初步掌握了工艺参数与薄膜质量的关联分析方法。