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HI简历
原子层沉积(ALD)工艺工程师
18800000000hi@hicv.cn
应届生北京
个人总结
意向岗位为原子层沉积(ALD)工艺工程师。材料科学与工程专业,修读薄膜沉积、真空技术与半导体工艺课程,熟悉ALD与PVD设备操作、前驱体脉冲与吹扫时序调试,能使用SEM、XRD、XRF完成膜厚与成分表征,并借助实验设计分析数据、定位工艺窗口。在科研项目中参与薄膜均匀性与良率改善,形成工艺参数—膜质关联记录,希望投身原子级制造与半导体工艺开发。
教育经历
示例大学
2022年09月-2026年06月
材料科学与工程、微电子科学与工程、化学工程与工艺、应用物理 本科 本科
示例大学材料科学与工程专业,主修薄膜材料与制备、真空技术、半导体工艺、材料表征方法等课程。课程项目中完成ALD氧化铝薄膜沉积实验,通过调整脉冲时间与循环数分析膜厚线性,并用XRD、SEM整理结构与形貌数据,形成实验报告。
工作经历
示例半导体工艺服务公司
2025年03月-2025年06月
原子层沉积(ALD)工艺实习生 薄膜工艺组
在导师指导下协助ALD薄膜沉积实验:根据工艺配方整理前驱体脉冲、吹扫与腔体温度参数,参与设备点检与真空检漏流程;协助完成硅片清洗、装片与沉积操作,记录膜厚与均匀性数据。使用椭偏仪、SEM、XRD对样品进行表征,整理成对比表格。与设备工程师、工艺工程师协作排查沉积速率波动问题,参与周会复盘。实习期间协助完成约30组工艺条件记录与数据归档,为组内参数筛选提供参考。
项目经历
课程项目:ALD氧化铝薄膜工艺参数与均匀性探究
2024年09月-2025年01月
课程项目负责人
材料科学课程项目,小组4人。围绕ALD氧化铝薄膜开展实验设计:设定前驱体脉冲时间、吹扫时长与基底温度三因素,在实验级ALD设备上完成多组沉积。用椭偏仪测膜厚、SEM观察表面形貌、XRD确认非晶结构,整理均匀性数据。我负责方案设计、样品编号与数据汇总,与组员分工完成表征与文献对比。在课程实验室样本口径下,优化组膜厚均匀性较初始组改善约15%,形成课程报告并课堂汇报。
个人项目:薄膜表征数据整理与工艺参数分析脚本
2023年10月-2024年05月
个人项目
个人自学项目,基于公开薄膜沉积数据集与课程实验记录,用Python整理椭偏仪、XRD和XRF表征结果,编写脚本自动生成膜厚、折射率与元素含量对比表。设计数据清洗规则处理异常点,输出工艺参数与膜厚趋势图。与实验室同学交流字段定义,迭代表格结构。在约200条自建样本记录上,数据整理耗时由手工约2小时缩短至约20分钟,脚本与说明文档已用于课程小组后续实验记录。
社团和组织经历
学生发展中心
2023年09月-2024年06月
项目与活动负责人 学生组织
作为学院科创项目小组协调人,我负责ALD薄膜课题的整体进度排期与组内任务分工,组织每周数据复盘会,统一实验记录规范与表征送样流程,确保SEM、XRD等测试节点有序衔接。同时协助整理阶段汇报材料,推动项目顺利通过中期检查,并协调设备使用与耗材采购。
荣誉奖项
校级优秀学生
课程实践项目优秀成果
其他
- 技能: 熟悉ALD工艺原理与前驱体脉冲、吹扫时序调试,能操作实验级ALD与PVD设备并完成装片、点检与真空检漏。; 掌握SEM、XRD、XRF与椭偏仪表征方法,能整理膜厚、均匀性与成分数据并输出对比表格。; 熟悉实验设计与数据分析流程,能用Python处理表征数据、绘制工艺参数与膜厚趋势图。
- 证书: CET-6
- 语言: 英语:通过大学英语六级,可阅读半导体工艺英文文献与设备手册;普通话标准。
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