使用Silvaco TCAD建立NMOS与PMOS器件结构，仿真不同沟道掺杂浓度（1e17至5e17 cm⁻³）、栅氧厚度（2 nm至4 nm）以及工作温度（25°C至125°C）下的阈值电压、亚阈值摆幅与漏电流变化。对比仿真结果与经典理论模型，系统分析短沟道效应对器件性能的影响机制，包括DIBL与热载流子效应。

针对8英寸硅晶圆划片过程中的崩边问题，设计L9（3^3）正交实验，系统考察主轴转速（20k-40k rpm）、进给速度（5-15 mm/s）与刀片粒度（#1200-#2000）三个关键因子对崩边尺寸的影响。使用高倍显微镜对每个实验组随机测量20个崩边点，记录崩边宽度均值。通过极差分析确定主效应顺序，方差分析评估因子显著性与交互作用，最终确定最优参数组合：主轴转速35k rpm、进给速度8 mm/s、刀片粒度#1800。