背景：课程综合项目，设计一款基于28nm工艺的8T低功耗SRAM单元。任务：完成电路原理图设计、版图绘制及后仿真验证。工具/方法：使用Cadence Virtuoso进行电路设计与仿真，利用Calibre进行DRC/LVS检查。协作对象：与同组同学分工完成版图布局和功耗优化。结果：单元静态功耗降低至传统6T结构的65%，读写噪声容限满足设计指标，项目获课程优秀设计奖。

背景：针对MOSFET器件进行电学特性测试与建模。任务：搭建测试方案，测量转移特性、输出特性和击穿电压，提取阈值电压、跨导等参数。工具/方法：使用Keithley 4200半导体参数分析仪和探针台，结合MATLAB进行数据拟合与模型验证。协作对象：与实验室助教讨论测试流程，与组员共同分析异常数据。结果：成功提取BSIM4模型参数，拟合误差小于3%，撰写测试报告并用于后续课程教学案例。