课程项目中围绕GaAs刻蚀均匀性开展配方对比实验，负责实验排期与数据汇总，使用台阶仪与SEM表征，按每批5片、3组重复的样本口径统计刻蚀速率与片内偏差；组织组员分工排查气流与温度变量，迭代两版参数后片内均匀性由约8%收窄至5%左右，形成实验报告与参数记录表，并总结出可复用的工艺调试与验收检查要点。

个人项目中基于实验室PECVD小试平台，收集连续20个run的膜厚与折射率数据，用Excel与Minitab做趋势图和方差分析，定位到前驱体流量波动对膜厚一致性的影响；在导师建议下调整预热与流量设定并复测10个run，膜厚标准差下降约三成，整理成问题分析简报与操作检查清单，为后续工艺稳定性监控提供数据依据。