参与28nm逻辑工艺良率提升项目，主要负责光刻关键尺寸均匀性优化工作。通过扫描电子显微镜及自动化量测设备收集大量关键尺寸数据，构建空间分布缺陷图谱，识别出曝光区域边缘的尺寸漂移问题。运用JMP软件进行DOE实验设计，系统分析曝光焦距与剂量参数对关键尺寸的影响，并优化出最佳工艺窗口。与光刻工艺工程师及QC团队密切协作，将关键尺寸均匀性从±12%提升至±6%，同时缺陷密度降低30%，有效提升了产品良率及生产稳定性。