电子科学与技术专业课程项目，基于教学版TCAD工具模拟硅片热氧化过程。负责设计三组温度与时间对照实验，组织两名成员完成数据采集与误差分析。使用Python对仿真结果做趋势拟合，发现温度每升高20℃氧化速率约提升6%，该结论仅在教学仿真环境下成立。最终提交实验报告并在课堂答辩中获评优秀。

课程拓展项目，采集公开半导体缺陷图像数据集约400张，负责图像预处理与特征提取。使用Python与OpenCV完成灰度化、去噪和边缘增强，再以简单CNN模型完成三类缺陷分类。在本地CPU环境测试，准确率约74%，样本量小且类别不均衡，结果仅作方法练习。整理代码与说明文档用于巩固图像处理与工艺缺陷识别基础。