面向物联网芯片的低功耗需求，设计基于28nm工艺的8T SRAM存储单元。独立完成原理图搭建与前仿，采用HSPICE进行全温度/全电压角仿真，优化读写时序及静态噪声容限。与版图设计组协作完成物理验证（DRC/LVS），通过迭代管宽比将单元漏电降低22%。最终提交完整的设计报告，并成功用于下一代芯片IP库，为团队积累了低功耗存储设计的宝贵经验。

为解决传统人工目检效率低的问题，开发自动化缺陷检测原型系统。使用Python与OpenCV实现图像预处理，基于YOLOv5框架训练模型识别划痕、脏污等5类缺陷，并采集5000张晶圆图进行标注与增强。与测试工程师协作制定检出标准，在GPU服务器上优化推理速度至每张8ms，最终检测准确率达96.7%，误报率低于3%，显著提升了产线检测效率与可靠性。